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Typical Characteristics
10
1200
8
I D = -3A
V DS = -20V
-30V
1000
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
-40V
800
6
600
4
400
2
200
C OSS
0
0
C RSS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
10
20
30
40
50
60
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
50
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
1
R DS(ON) LIMIT
1ms
10ms
100ms
1s
100 μ s
40
30
R θ JA = 125°C/W
T A = 25°C
0.1
V GS = -10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
DC
10s
20
10
0.01
0
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 125 C/W
0.2
o
0.1
0.1
0.05
0.02
P(pk)
t 1
0.01
0.001
0.01
SINGLE PULSE
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
NDS9407 Rev B 1 (W)
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